Deposición de películas de sílice amorfa a partir de vapor mediante laser de excimero en configuración paralela

  1. GONZALEZ FERNANDEZ PIO MANUEL
Zuzendaria:
  1. Mariano Pérez-Martínez Pérez-Amor Zuzendaria
  2. Betty Mireya León Fong Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidade de Santiago de Compostela

Defentsa urtea: 1991

Epaimahaia:
  1. Miguel López-Coronado Presidentea
  2. Francisco Sánchez Quesada Idazkaria
  3. José Manuel Martínez Duart Kidea
  4. Juan Piqueras Martinez Kidea
  5. Gerardo López Araujo Kidea

Mota: Tesia

Teseo: 29157 DIALNET

Laburpena

Esta tesis trata sobre la deposición de películas delgadas de óxido de silicio sobre silicio cristalino mediante la técnica lCVD utilizando un láser de excimero en configuración paralela. Se presenta un estudio exhaustivo de la influencia de los parámetros de procedimiento en la velocidad de deposición y propiedades de las películas. Ademas se ha elaborado un modelo descriptivo del proceso de deposición, se ha realizado un compendio de relaciones empíricas para la determinación indirecta de las propiedades de las películas y, por ultimo, se han estudiado las aplicaciones microelectrónicas y metalúrgicas de estas películas.