RECUBRIMIENTOS DOBLES SI/SIO2 PRODUCIDOS MEDIANTE LASER.

    Inventores/as:
  1. JUAN MARIA POU SARACHO
  2. PIO MANUEL GONZALEZ FERNANDEZ
  3. GARCIA PARADA, EDUARDO
  4. JULIA ASUNCION SERRA RODRIGUEZ
  5. LEON FONG, BETTY
  6. PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR, MARIANO JESUS
  1. Universidade de Vigo
    info

    Universidade de Vigo

    Vigo, España

ES
Publicación principal:

ES2138895A1 (16-01-2000)

Otras Publicaciones:

ES2138895B1 (01-11-2000)

Solicitudes:

P9700026 (27-12-1996)

Resumo

Recubrimientos dobles Si/SiO2 producidos mediante láser. Recubrimientos de silicio/óxido de silicio pueden ser aplicados sobre diferentes materiales y componentes por medio de un método basado en la Deposición Química a partir de Vapor inducida por Láser (LCVD). Este método hace uso de un láser de excímero ArF para irradiar diferentes mezclas de gases precursores introducidos en una cámara de reacción en la que previamente se ha hecho alto vacío. La flexibilidad de este método permite controlar las propiedades físico-químicas y el espesor de los recubrimientos, siendo de especial aplicación en la protección de materiales metálicos contra el ataque de agentes externos, fundamentalmente cuando dichos componentes están sometidos a temperaturas elevadas y atmósferas muy agresivas.

INVENES: P9700026