Deposición de películas de sílice amorfa a partir de vapor mediante laser de excimero en configuración paralela

  1. GONZALEZ FERNANDEZ PIO MANUEL
Dirixida por:
  1. Mariano Pérez-Martínez Pérez-Amor Director
  2. Betty Mireya León Fong Director

Universidade de defensa: Universidade de Santiago de Compostela

Ano de defensa: 1991

Tribunal:
  1. Miguel López-Coronado Presidente/a
  2. Francisco Sánchez Quesada Secretario/a
  3. José Manuel Martínez Duart Vogal
  4. Juan Piqueras Martinez Vogal
  5. Gerardo López Araujo Vogal

Tipo: Tese

Teseo: 29157 DIALNET

Resumo

Esta tesis trata sobre la deposición de películas delgadas de óxido de silicio sobre silicio cristalino mediante la técnica lCVD utilizando un láser de excimero en configuración paralela. Se presenta un estudio exhaustivo de la influencia de los parámetros de procedimiento en la velocidad de deposición y propiedades de las películas. Ademas se ha elaborado un modelo descriptivo del proceso de deposición, se ha realizado un compendio de relaciones empíricas para la determinación indirecta de las propiedades de las películas y, por ultimo, se han estudiado las aplicaciones microelectrónicas y metalúrgicas de estas películas.