Estudio, caracterización y modelado avanzado de los efectos térmicos y trampa en los Transistores MESFET y HEMT de Microondas

Resumen

En este trabajo se presenta un nuevo modelo no lineal para transistores MESFET/HEMT basados en GaAs y GaN teniendo en cuenta los efectos térmicos y trampa que muestran estos dispositivos. El modelo permite reproducir el comportamiento del dispositivo, a un rango determinado de temperatura, en régimen estático (DC), régimen pulsado y régimen dinámico RF pequeña y gran señal. La ecuación de la fuente de corriente Ids toma como base cualquier modelo DC existente sin alterar su comportamiento en este régimen de funcionamiento. Los valores de sus parámetros se extraen a partir de las características I/V DC y pulsadas llevadas a cabo solamente en unos puntos determinados de polarización. También se presenta el estudio y la caracterización de dichos efectos lo que, de un lado, permite conocer la influencia de los mismos sobre el comportamiento del transistor y, de otro lado, obtener toda la información útil y necesaria para su modelado