Dopant-driven enhancements in the optoelectronic properties of laser ablated ZnO: Ga thin films

  1. Hassan, A.
  2. Jin, Y.
  3. Chao, F.
  4. Irfan, M.
  5. Jiang, Y.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Any de publicació: 2018

Volum: 123

Número: 16

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.5003686 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus