Finite elements analysis of heteroepitaxial SiGe layers grown by excimer laser
- Conde, J.C.
- González, P.
- Lusquiños, F.
- Chiussi, S.
- Serra, J.
- León, B.
ISSN: 0169-4332
Datum der Publikation: 2005
Ausgabe: 248
Nummer: 1-4
Seiten: 461-465
Art: Konferenz-Beitrag