Finite elements analysis of heteroepitaxial SiGe layers grown by excimer laser

  1. Conde, J.C.
  2. González, P.
  3. Lusquiños, F.
  4. Chiussi, S.
  5. Serra, J.
  6. León, B.
Revue:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Année de publication: 2005

Volumen: 248

Número: 1-4

Pages: 461-465

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.1016/J.APSUSC.2005.03.099 GOOGLE SCHOLAR
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