Growth and modification of thin a-Si:H/a-Ge:H bi-layers to sacrificial c-SiGe alloys through ArF-Excimer laser assisted processing

  1. Chiussi, S.
  2. Gontad, F.
  3. Rodríguez, R.
  4. Serra, C.
  5. Serra, J.
  6. León, B.
  7. Sulima, T.
  8. Höllt, L.
  9. Eisele, I.
Revista:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Any de publicació: 2008

Volum: 254

Número: 19

Pàgines: 6030-6033

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.APSUSC.2008.02.183 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus