Growth and modification of thin a-Si:H/a-Ge:H bi-layers to sacrificial c-SiGe alloys through ArF-Excimer laser assisted processing

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Revista:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Año de publicación: 2008

Volumen: 254

Número: 19

Páginas: 6030-6033

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.APSUSC.2008.02.183 GOOGLE SCHOLAR
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