Structure and composition of Silicon-Germanium-Tin microstructures obtained through Mask Projection assisted Pulsed Laser Induced Epitaxy

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Zeitschrift:
Microelectronic Engineering

ISSN: 0167-9317

Datum der Publikation: 2014

Ausgabe: 125

Seiten: 18-21

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.MEE.2014.03.017 GOOGLE SCHOLAR

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