Numerical analysis of temperature profile and thermal-stress during excimer laser induced heteroepitaxial growth of patterned amorphous silicon and germanium bi-layers deposited on Si(100)

  1. Conde, J.C.
  2. Martín, E.
  3. Gontad, F.
  4. Chiussi, S.
  5. Fornarini, L.
  6. León, B.
Revista:
Thin Solid Films

ISSN: 0040-6090

Ano de publicación: 2010

Volume: 518

Número: 9

Páxinas: 2431-2436

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/J.TSF.2009.09.135 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus