Fabrication of GeSn-multiple quantum wells by overgrowth of Sn on Ge by using molecular beam epitaxy
- Oliveira, F.
- Fischer, I.A.
- Benedetti, A.
- Zaumseil, P.
- Cerqueira, M.F.
- Vasilevskiy, M.I.
- Stefanov, S.
- Chiussi, S.
- Schulze, J.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951
Datum der Publikation: 2015
Ausgabe: 107
Nummer: 26
Art: Artikel