Fabrication of GeSn-multiple quantum wells by overgrowth of Sn on Ge by using molecular beam epitaxy

  1. Oliveira, F.
  2. Fischer, I.A.
  3. Benedetti, A.
  4. Zaumseil, P.
  5. Cerqueira, M.F.
  6. Vasilevskiy, M.I.
  7. Stefanov, S.
  8. Chiussi, S.
  9. Schulze, J.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2015

Ausgabe: 107

Nummer: 26

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.4938746 GOOGLE SCHOLAR