Fabrication of GeSn-multiple quantum wells by overgrowth of Sn on Ge by using molecular beam epitaxy

  1. Oliveira, F.
  2. Fischer, I.A.
  3. Benedetti, A.
  4. Zaumseil, P.
  5. Cerqueira, M.F.
  6. Vasilevskiy, M.I.
  7. Stefanov, S.
  8. Chiussi, S.
  9. Schulze, J.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Ano de publicación: 2015

Volume: 107

Número: 26

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.4938746 GOOGLE SCHOLAR