Fabrication of GeSn-multiple quantum wells by overgrowth of Sn on Ge by using molecular beam epitaxy
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- Fischer, I.A.
- Benedetti, A.
- Zaumseil, P.
- Cerqueira, M.F.
- Vasilevskiy, M.I.
- Stefanov, S.
- Chiussi, S.
- Schulze, J.
Revista:
Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951
Ano de publicación: 2015
Volume: 107
Número: 26
Tipo: Artigo