Ellipsometric analysis of concentration gradients induced in semiconductor crystals by pulsed laser induced epitaxy

  1. Schlipf, J.
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  7. Chiussi, S.
Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics

ISSN: 2166-2754,  2166-2746

Año de publicación: 2019

Volumen: 37

Número: 6

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/1.5122777 GOOGLE SCHOLAR
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