Ellipsometric analysis of concentration gradients induced in semiconductor crystals by pulsed laser induced epitaxy

  1. Schlipf, J.
  2. Martín, E.
  3. Stchakovsky, M.
  4. Benedetti, A.
  5. Fischer, I.A.
  6. Schulze, J.
  7. Chiussi, S.
Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics

ISSN: 2166-2754 2166-2746

Año de publicación: 2019

Volumen: 37

Número: 6

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/1.5122777 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible