Study of dopant activation in biaxially compressively strained SiGe layers using excimer laser annealing
- Luong, G.V.
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- Goryll, M.
- Buca, D.
- Mantl, S.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2013
Ausgabe: 113
Nummer: 20
Art: Artikel