Study of dopant activation in biaxially compressively strained SiGe layers using excimer laser annealing

  1. Luong, G.V.
  2. Wirths, S.
  3. Stefanov, S.
  4. Holländer, B.
  5. Schubert, J.
  6. Conde, J.C.
  7. Stoica, T.
  8. Breuer, U.
  9. Chiussi, S.
  10. Goryll, M.
  11. Buca, D.
  12. Mantl, S.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 113

Nummer: 20

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.4807001 GOOGLE SCHOLAR

Ziele für nachhaltige Entwicklung