Study of dopant activation in biaxially compressively strained SiGe layers using excimer laser annealing

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Ano de publicación: 2013

Volume: 113

Número: 20

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.4807001 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable