Pulsed 193 nm Excimer laser processing of 4H–SiC (0001) wafers with radiant exposure dependent in situ reflectivity studies for process optimization

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Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 2023

Volumen: 168

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSSP.2023.107839 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor